Resonance effects in the Raman analysis of sige nanostructures

PICCO, ANDREA
2012

26-gen-2012
Inglese
SiGe, Silicon Germanium, nanostructure, Raman, spectroscopy, Raman resonance, electronic transitions, SiGe islands, composition, inhomogeneity, semiconductor
BONERA, EMILIANO
Università degli Studi di Milano-Bicocca
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/170379
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIMIB-170379