Atomic layer deposition and characterization of rare earth oxides for innovation in microelectronics

LAMAGNA, LUCA
2009

17-dic-2009
Inglese
atomic layer deposition; rare earth oxides; high-k dielectrics; spectroscopic ellipsometry; in situ
FANCIULLI, MARCO
Università degli Studi di Milano-Bicocca
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/171293
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIMIB-171293