Advanced models for simulation of planar and gate-all-around nanoscale MOSFETs

LIZZIT, Daniel
2016

8-apr-2016
Inglese
MOSFETs; Surface roughness; Gate-all-around; Mobility; Electron transport; Scattering; Quantization; BTE
ESSENI, David
Università degli Studi di Udine
Udine
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/179600
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIUD-179600