Structure and evolution of defects in ion implanted Si role of impurities and thermal treatments dottorato di ricerca in fisica tesi per il conseguimento del titolo
1998
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in UNITESI sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/20.500.14242/243046
Il codice NBN di questa tesi è
URN:NBN:IT:UNICT-243046