Study of transformation of defect states in GaN and SiC based materials and devices tesi per il conseguimento del titolo di dottore di ricerca
Lorenzo, Rigutti
2006
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in UNITESI sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/20.500.14242/262639
Il codice NBN di questa tesi è
URN:NBN:IT:UNIBO-262639