Eterostrutture epitassiali di composti semiconduttori 2.-6. crescita mediante tecniche CVD e MOCVD e caratterizzazione dottorato di ricerca in fisica tesi di dottorato

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1993

1993
Italiano
Università del Salento
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/293562
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNISALENTO-293562