Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires

In questa tesi un modello idrodinamico per il trasporto di elettroni nei fili quantici al silicio (SiNW) ਠpresentato. Tale modello ਠstato formulato considerando i momenti derivanti dall'equazione cinetica di Boltzmann e chiudendo il sistema dei momenti ottenuto per mezzo del Principio di Massima Entropia della Termodinamica Estesa. Questo modello di trasporto include necessariamente l'equazione di Schroedinger bidimensionale accoppiata all'equazione di Poisson 3D. Al fine di testare il modello, simulazioni numeriche per SiNW transistors sono eseguite. Importanti proprietà  in tali dispositivi, come la mobilità  elettronica, sono studiate e i risultati ottenuti sono confrontati con quelli conseguiti usando approcci diversi nella simulazione di dispositivi elettronici basati sui nanowires.