Assessment of Ga2O3-based Schottky diodes and hetero-junctions for applications in power electronics and UV detection

RAJABI KALVANI, PAYAM
2025

16-gen-2025
Inglese
Condensed matter physics
Ultra-wide bandgap semiconductor
UV detector
Power device
Deep levels
Impedance/admittance spectroscopy
p-n heterojunctions
Schottky diode
Fornari, Roberto
PARISINI, Antonella
Università degli Studi di Parma
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PhD thesis (Payam Rajabi Kalvani, PhD student of Physics, 2022-2024)_Final version.pdf

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/369397
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPR-369397