Control of electrical and structural properties in Ga2O3 epitaxy

SACCHI, ANNA
2025

7-gen-2025
Inglese
Semiconductors
Ultrawide bandgap material
Gallium oxide
Epitaxy
Molecular Beam Epitaxy
Photodetectors
MAZZOLINI, PIERO
Università degli Studi di Parma
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/369429
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPR-369429