UNITesi

Study of electrically active defects in structures with InAs quantum Dots in GaAs matrix

PREZIOSO, Mirko
2008
mar-2008
Inglese
Stacking fault tetrahedra
Quantum Dots
InAs
GaAs
Scanning capacitance microscopy
Capacitance
Deep level transient spectroscopy
CV
DLTS
Ripening
Mosca, Roberto
GOMBIA, Enos
Università degli Studi di Parma
Università degli Studi di Parma
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/369962
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPR-369962