Electrical investigation of p-type 4H-SiC heavily doped by ion implantation

GORNI, Marco
2016

2016
Inglese
Silicon Carbide
Ion Implantation
Aluminum doping
Electrical investigation
PARISINI, Antonella
Università degli Studi di Parma
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/370540
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPR-370540