Misure elettriche e simulazioni del tempo di vita dei portatori in dispositivi PiN in 4H-SiC

SAPIENZA, SERGIO
2021

apr-2021
Italiano
SiC Lifetime OCVD pin diode mosfet
Nipoti, Roberta
SOZZI, Giovanna
Università degli Studi di Parma
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/371672
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPR-371672