Development and Optimisation of Advanced Simulation Models for Nanoscale FETs with Alternative Channel Materials

OSGNACH, Patrik
2015

8-apr-2015
Inglese
Modelling; Simulation; MOSFET; advanced channel materials; III-V, parallelisation; optimisation; interface states; TCAD
PALESTRI, Pierpaolo
Università degli Studi di Udine
Udine
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/91641
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIUD-91641