Analysis of the physical processes that limit the reliability of GaN-based optoelectronic devices

MENEGHINI, MATTEO
2008

15-gen-2008
Inglese
gallium nitride, compound semiconductor, reliability, LED, laser
Università degli studi di Padova
246
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/107722
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPD-107722