Characterization and modeling of GaN-based transistors for power applications

BORGA, MATTEO
2019

2-dic-2019
Inglese
Gallium Nitride, power devices, reliability
Zanoni, Enrico
Università degli studi di Padova
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/109971
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPD-109971