Stress, Overstress and Strain on AlGaN/GaN HEMT Devices

I sistemi di comunicazione di ultima generazione, basati su amplificatori che operano a frequenze tra gli 1 ed i 40 GHz, necessitano di prestazioni rf sempre più spinte per quel che riguarda la potenza, l’efficienza, la linearità ed il basso costo. I semiconduttori basati sul Silicio (Si) o sull’ Arseniuro di Gallio (GaAs) che sono abitualmente utilizzati per la costruzione di sistemi di comunicazione non sono in grado di soddisfare la domanda continua e crescente di prestazioni di potenza alle microonde. Questo tipo di dispositivi sono vicini al limite delle proprie prestazioni, lavorano con bassa efficienza e richiedono sistemi di raffreddamento di grandi dimensioni. I dispositivi basati su Nitruro di Gallio stanno quindi diventando interessanti per un gran numero di applicazioni: dalla optoelettronica all’ elettronica di potenza. In particolare i transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) si sono rivelati promettenti per gli amplificatori a microonde ma la loro stabilità e affidabilità sono ancora uno dei problemi da risolvere per ottenere un prodotto commercializzabile e pronto per il mercato.