Numerical investigation of efficiency loss mechanisms in light emitting diodes and determination of radiative and non-radiative lifetimes for infrared optoelectronics

DOMINICI, STEFANO
2017

2017
Inglese
Auger recombination, Radiative recombination, Absorption coefficient, Thermal droop, Ge, GeSn, germanium-tin, Silicon photonics, infrared optoelectronics, LED, InGaN
Politecnico di Torino
89
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/114188
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:POLITO-114188