Characterization, modeling and simulation of 4H-SiC power diodes.

2011

2011
Università degli Studi di Salerno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/135367
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNISA-135367