Modelling and Simulation of Silicon Nanowire-Based Electron Devices for Computation and Sensing

ANTIDORMI, ALEANDRO
2016

2016
Inglese
Multi-Gate Transistors, Modelling, Simulation, Silicon Nanowires, Sensing, Porous Silicon, Porous Silicon Nanowires
Politecnico di Torino
167
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/166607
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:POLITO-166607