Advances in quantum tunneling models for semiconductor optoelectronic device simulation

MANDURRINO, MARCO
2017

2017
Inglese
tunneling
Politecnico di Torino
261
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/166908
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:POLITO-166908