Influence of ionizing radiations and thermal treatments on 4H-SiC defectivity

MIGLIORE, Francesca
2024

2-lug-2024
Inglese
AGNELLO, Simonpietro
Università degli Studi di Palermo
Palermo
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/172937
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPA-172937