Advanced Simulation Methods for the Development and Characterization of New Devices

La tendenza generale nell'industria dell'elettronica odierna è di aumentare la densità di dispositivi nei circuiti integrati minimizzando le dimensioni dei transistor fino ad arrivare al loro limite fondamentale. Transistor con strutture alternative e nuovi materiali vengono pertanto esplorati al fine di continuare il progresso nella tecnologia dell'informazione e delle telecomunicazioni. Gran parte della ricerca più avanzata riguarda dispositivi a hetero-struttura, la cui caratterizzazione non può essere fatta in dettaglio utilizzando solo i tradizionali simulatori drift-diffusion e idrodinamici. Il principale scopo di questo lavoro è di sviluppare e analizzare dispositivi tecnologicamente avanzati basati sul silicio ed eseguire un’attenta analisi di High Electron Mobility Transistor (HEMT) che rispecchino lo stato dell'arte per dispositivi ad alta frequenza e alta potenza, utilizzando sia simulatori commerciali sia un simulatore full band Cellular Monte Carlo (CMC) , al fine di definire quali siano i fattori più importanti che permettono di migliorare l'affidabilità' e la fattibilità sia dei dispositivi in silicio che di AlGaN/GaN HEMT per frequenze millimetriche.