UNITesi

Characterization and Study of Reliability Aspects in GaN High ElectronMobility Transistors

TAJALLI, ALALEH
2018
30-set-2018
Inglese
GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs). reliability, trapping effect, proton irradiation, ON-Resistance, pulsed I-V. Drain Current transient.
Università degli studi di Padova
164
Università degli Studi di Padova
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/174439
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPD-174439