ADVANCED MEMORIES TO OVERCOME THE FLASH MEMORY WEAKNESSES: A RADIATION VIEWPOINT RELIABILITY STUDY

La maggior parte delle memorie non volatili attuali si basa sul transistor a gate flottante. Nel corso degli anni, la dimensione della cella elementare è stata sempre più ridotta per far fronte alle crescenti richieste in termini di densità di memoria. Tuttavia, il transistor a floating gate sta raggiungendo i suoi limiti fisici intrinseci e le dimensioni della cella non possono più essere facilmente ridotte a meno di non compromettere la funzionalità o l’affidabilità del dispositivo stesso. Per far fronte a questi problemi, diverse alternative sono in fase di studio. Tra di esse, si possono annoverare le memorie ferroelettriche, le memorie a cambiamento di fase, e le memorie a nanocristalli. Questi tre tipi di memorie sono oggetto di studio di questa tesi. In particolare, viene analizzata la robustezza alle radiazioni ionizzanti di questi nuovi concetti di memoria. I risultati evidenziano che le memorie non volatili avanzate portano significativi miglioramenti in termini di tolleranza alle radiazioni ionizzanti.