UNITesi

GaN FET Devices in High-Efficiency Low-Voltage Power Converter Applications

BARBA, VINCENZO
2025
26-mar-2025
Inglese
GaN FET; Electrification; Wide Bandgap Device; High Electron Mobility Transistor; Power converter; Motor drive; Dead time; Switching losses; Transistor modelling; Model validation; High efficiency conversion; Converter operation improvement; Parallel connection
MUSUMECI, SALVATORE
BOJOI, IUSTIN RADU
Politecnico di Torino
322
Politecnico di Torino
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/210122
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:POLITO-210122