Compound semiconductor RF power field effect transistors characterization and simulation dottorato di ricerca in ingegneria dell'informazione, 17. ciclo

Alberto F., Basile
2005

2005
Inglese
Giovanni, Verzellesi
Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/259844
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIMORE-259844