Analisi delle caratteristiche elettriche di ossidi sottili e ultrasottili impiegati in tecnologie mos deep submicron dottorato di ricerca in ingegneria elettronica e delle telecomunicazioni
1998
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https://hdl.handle.net/20.500.14242/260180
Il codice NBN di questa tesi è
URN:NBN:IT:UNIPD-260180