Process optimization for high speed, high power gallium nitride high mobility transistors dottorato di ricerca in ingegneria elettronica e delle telecomunicazioni

Dario, Buttari
2003

2003
Inglese
Enrico, Zanoni
Università degli Studi di Padova
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/286775
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:UNIPD-286775