Resistive switching devices with improved control of oxygen vacancies dynamics

FRA, VITTORIO
2021

22-apr-2021
Inglese
resistive switching; ReRAM; memristor; HfO2; ZnO; nanowires; C-AFM
RICCIARDI, CARLO
Politecnico di Torino
141
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/66714
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:POLITO-66714