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The deep Al-based JTE: development and industrialization of a novel termination design for high-power semiconductor devices

PEZZAROSSA, MICHELE
2022
702. FISICA
20-mag-2022
Inglese
power electronics; semiconductor; P-i-N; junction termination extension; JTE; FEM; TCAD simulation; clean-room manufacturing; electrical characterization; structural characterization; physical modelling
PIRRI, Candido
Politecnico di Torino
116
Politecnico di Torino
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14242/67829
Il codice NBN di questa tesi è URN:NBN:IT:POLITO-67829