Reliability and failure mechanisms of GaN HEMT devices suitable for high-frequency and high-power applications

Questa tesi riassume i principali risultati ottenuti nello studio dell'affidabilità e dei principali meccanismi di guasto nei transistor ad alta mobilità basati su Nitruro di Gallio (GaN-HEMT). L'attività di ricerca dei tre anni di dottorato è stata incentrata (i) sulle principali problematiche affidabilistiche degli HEMT su GaN adatti sia alle applicazioni ad alta frequenza, come il campo delle telecomunicazioni o satellitare, sia alle applicazioni ad alta potenza, come il campo degli switch per alta potenza, (ii) sull'analisi fisica del degrado causato dall'applicazione di alti campi elettrici, (iii) e sull'analisi approfondita di alcuni effetti parassiti che influenzano le caratteristiche statiche e dinamiche di tale tecnologia. Il lavoro ha seguito le ultime fasi del progetto europeo KorriGaN e alcune collaborazioni con centri di ricerca europei e aziende private, integrando la possibilità di capire quali possano essere le problematiche attualmente considerate più critiche in ogni specifica applicazione degli HEMT su GaN, con l'opportunità di trasferire le conoscenze acquisite anche all'interno degli altri campi operativi. La prima parte della tesi riassume tutta l'attività svolta all'interno del progetto Task-Force, attività conclusiva del settore affidabilità del progetto europeo KorriGaN (Key ORganisation for Research on Integrated circuit in GaN technology). Scopo del progetto era individuare le condizioni di funzionamento più critiche nell'ultimo set di dispositivi sviluppati a partire dai risultati ottenuti durante i precedenti anni di progetto, dando particolare importanza ai meccanismi di guasto responsabili della riduzione delle principali prestazioni nel breve e nel medio periodo, e ai diversi comportamenti indotti dalle diverse qualità dei substrati utilizzati nella crescita di tali dispositivi. I test di affidabilità a canale chiuso hanno dimostrato un significativo miglioramento della robustezza rispetto ai dispositivi sviluppati nei precedenti anni di progetto, con tensioni critiche di rottura oltre i 100V. Tali risultati sono stati confermati in tutti i wafer, indipendentemente dalla qualità del substrato, sottolineando come un buon processing dei dispositivi possa completamente mascherare la scarsa qualità dell'epitassia o dei substrati utilizzati. A canale aperto invece, l'analisi dei principali meccanismi di guasto e dei fattori di accelerazione del degrado ha mostrato un particolare meccanismo di degradazione accelerato dagli elettroni caldi (hot electrons) presenti all'interno del canale, con una trascurabile influenza della temperatura di test. Questo risultato è uno dei primi che mostra chiaramente l'influenza degli elettroni caldi nei meccanismi di degrado degli HEMT basati su Nitruro di Gallio. Analoghi studi su affidabilità e meccanismi di guasto sono stati eseguiti all'interno dell'attività di collaborazione con l'Agenzia Spaziale Europea. In particolare, l'attività è stata sviluppata sia all'interno dei laboratori di microelettronica di Padova, sia presso il centro di ricerca dell'Agenzia Spaziale ESA-ESTEC in Olanda, per un periodo complessivo di mobilità di 5 mesi. Gli studi sono stati eseguiti su una tecnologia di dispositivi ormai abbastanza consolidata, adattata alle esigenze specifiche delle applicazioni satellitari. I risultati hanno mostrato una buona stabilità delle principali perfomance DC e RF dei dispositivi al variare delle temperatura, e una buona stabilità nei test di storage fino ai 350°C, temperatura critica alla quale i diodi di gate cominciano rapidamente a degradare. Una significativa affidabilità è stata inoltre rilevata sia nei test a breve termine, con ottima stabilità oltre i 100V di tensione di drain a temperatura ambiente e ad alte temperature, sia nei test a lungo termine, eseguiti sui dispositivi designati per l'applicazione spaziale con test ad elevate temperature di giunzione. La successiva parte della tesi tratta un'analisi approfondita dell'affidabilità a canale chiuso dei transistor su GaN, seguendo precedenti lavori volti allo stesso scopo. Molti studi sono stati eseguiti per comprendere meglio quali siano i meccanismi di guasto coinvolti nella degradazione del gate delle precedenti tecnologie di GaN-HEMT, a causa di alcune questioni ancora irrisolte sulle quali la letteratura non ha ancora dato una completa chiarificazione. Nonostante la definizione di "critical voltage" (tensione critica) ormai comunemente accettata, alcuni test sul comportamento del gate in polarizzazione inversa hanno evidenziato risultanti contrastanti, suggerendo un diverso meccanismo di guasto correlato alla difettosità iniziale del campione. Altre analisi in polarizzazione costante hanno mostrato lo stesso meccanismo di guasto a tensioni di gate ben al di sotto della tensione critica. In seguito, su alcuni campioni sono state eseguite approfondite indagini di guasto per meglio comprendere l'evoluzione fisica del meccanismo di rottura, seguendo alcuni studi recentemente riportati in letteratura. Guidati dalle misure di elettroluminescenza (EL) precedentemente ottenute, tali analisi hanno permesso di verificare la presenza di difetti pre-esistenti e solo in certi casi di identificare la comparsa di alcuni difetti indotti dallo stress, evidenziando l'enorme difficoltà e talvolta l'impossibilità di localizzare dei difetti con dimensioni di scala nanometrica nei diversi strati di semiconduttore (cracks), almeno durante le prime fasi di degrado del campione. L'ultima parte della tesi riporta alcune indagini approfondite su specifici effetti parassiti presenti negli HEMT su GaN, in particolar modo analizzando l'effetto kink e il collasso di corrente (current collapse). Questi studi sono stati svolti all'interno del progetto europeo MANGA (Manufacturable GaN), nel settore dedicato all'indagine dei livelli energetici responsabili degli effetti parassiti. Studiando alcuni dispositivi appartenenti a tecnologie meno recenti, è stato possibile correlare la presenza dell'effetto kink con un aumento inusuale dello spettro di elettro-luminescenza nel range della banda rosso-gialla, a sua volta correlato con un largo picco di emissione nel giallo rilevato durante misure di catodo-luminescenza negli stessi dispositivi. Tali studi confermano un precedente lavoro in cui si assume che l'effeto kink sia originato dall'interazione degli elettroni nel canale con due livelli energetici parassiti presenti all'interno dell'energy gap del GaN. Studiando invece alcuni dispositivi HEMT basati sull'eterostruttura AlGaN/GaN, ma con differenti composizioni dello strato barriera e drogaggio dello strato buffer, è stato possibile correlare la concentrazione del ferro, usato come drogante all'interno del buffer, con un incremento del current collapse nei punti di polarizzazione a maggior campo elettrico, identificando poi l'energia di attivazione della trappola responsabile di tale degrado delle caratteristiche dinamiche. L'uso combinato di misure SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy) e simulazioni numeriche hanno permesso di dare una dimostrazione fisica dell'effetto osservato nelle misure di laboratorio, confermando sia i risultati ottenuti in termini di collasso di corrente, sia la valutazione sperimentale dell'energia di attivazione della trappola.