Modeling of gate tunneling currents in ultra-thinoxide MOSFETs dottorato di ricerca in ingegneria delle telecomunicazioni e microelettronica
Fabio E., Sacconi
2003
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https://hdl.handle.net/20.500.14242/252369
Il codice NBN di questa tesi è
URN:NBN:IT:UNIROMA2-252369